مدلسازی تحلیلی اثر شکست در ترانزیستور اثر میدانی نانو نوار گرافن
Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
نویسنده: Iraj Sadegh Amiri,Mahdiar Ghadiry (auth.)
ناشر: Springer Singapore
سال انتشار: 2018
تعداد صفحات: 92
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 3 مگابایت