خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

حافظه های ترانزیستور اثر میدان فروالکتریک گیت: فیزیک دستگاه و کاربردها

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications

نویسنده: Byung-Eun Park, Hiroshi Ishiwara, Masanori Okuyama, Shigeki Sakai, Sung-Min Yoon (eds.)

ناشر: Springer Netherlands

سال انتشار: 2016

تعداد صفحات: 350

زبان: English

فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها

حجم فایل: 18 مگابایت