خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Topics in Applied Physics, 131)

حافظه های ترانزیستور اثر میدانی فروالکتریک گیت: فیزیک دستگاه و کاربردها (موضوعات فیزیک کاربردی، 131)

Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories: Device Physics and Applications (Topics in Applied Physics, 131)

نویسنده: Byung-Eun Park (editor), Hiroshi Ishiwara (editor), Masanori Okuyama (editor), Shigeki Sakai (editor), Sung-Min Yoon (editor)

ناشر: Springer

سال انتشار: 2020

تعداد صفحات: 421

زبان: English

فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها

حجم فایل: 24 مگابایت