حافظه های دسترسی تصادفی فروالکتریک: مبانی و کاربردها
Ferroelectric Random Access Memories: Fundamentals and Applications
نویسنده: James F. Scott (auth.), Prof. Hiroshi Ishiwara, Prof. Masanori Okuyama, Dr. Yoshihiro Arimoto (eds.)
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg
سال انتشار: 2004
تعداد صفحات: 284
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 7 مگابایت