در حال رشد ناهمگونی های نیمه هادی با نقاط کوانتومی INAS/GAAS METE: توضیحات کار آزمایشگاهی
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
نویسنده: Смирнов К.В., Чулкова Г.М., Вахтомин Ю.Б., Корнеев А.А.
ناشر: 2001
سال انتشار: 2001
تعداد صفحات: 0
زبان: Russian
فرمت: zip - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 1 مگابایت