در حال رشد ناهمگونی های نیمه هادی با نقاط کوانتومی INAS/GAAS Mete MoS: شرح کار آزمایشگاهی
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС: Описание лабораторной работы
نویسنده: Коллектив авторов
ناشر: ЭБС Лань
سال انتشار: 2001
تعداد صفحات: [18]
زبان: Russian
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 503 کیلوبایت