ساختار ساختارهای نیمه هادی در حال رشد با نقاط کوانتومی INAS/GAAS با روش گاز -phase epitaxi از ترکیبات فلزی- ارگانیک: توضیحات کار آزمایشگاهی
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы
نویسنده: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.
ناشر: ННГУ им. Н.И. Лобачевского
سال انتشار: 2001
تعداد صفحات: 18
زبان: Russian
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 505 کیلوبایت