Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

خرید و دانلود نسخه کامل کتاب Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

ساختار ساختارهای نیمه هادی در حال رشد با نقاط کوانتومی INAS/GAAS با روش گاز -phase epitaxi از ترکیبات فلزی- ارگانیک: توضیحات کار آزمایشگاهی

Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений: Описание лабораторной работы

نویسنده: Байдусь Н.В., Звонков Б.Н.

ناشر: ННГУ им. Н.И. Лобачевского

سال انتشار: 2001

تعداد صفحات: 18

زبان: Russian

فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها

حجم فایل: 505 کیلوبایت

110,000 تومان 73,000 تومان