تئوری و طراحی IGBT ترانزیستور دو قطبی دروازه ای با عایق
Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT Theory and Design
نویسنده: Vinod Kumar Khanna
ناشر: WileyBlackwell
سال انتشار: 2003
تعداد صفحات: 522
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 27 مگابایت