خرید و دانلود نسخه کامل کتاب MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures

رشد MOCVD ساختارهای ترانزیستور با تحرک الکترون بالا مبتنی بر GaN

MOCVD growth of GaN-based high electron mobility transistor structures

نویسنده: Chen, Jr-Tai

ناشر: Linköping University

سال انتشار: 2015

تعداد صفحات: 81

زبان: English

فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها

حجم فایل: 9 مگابایت