ترانزیستور در مقیاس نانو: فیزیک دستگاه ، مدل سازی و شبیه سازی
Nanoscale Transistors: Device Physics, Modeling and Simulation
نویسنده: Mark Lundstrom, Jing Guo
ناشر: Springer
سال انتشار: 2010
تعداد صفحات: 222
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 15 مگابایت