ترانزیستور در مقیاس نانو: فیزیک دستگاه ، مدل سازی و شبیه سازی
Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation
نویسنده: Mark Lundstrom, Jing Guo
ناشر: Springer
سال انتشار: 2005
تعداد صفحات: 222
زبان: English
فرمت: djvu - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 2 مگابایت