ترانزیستور اثر میدانی دروازه نقطه کوانتومی سه حالته جدید: ساخت، مدلسازی و کاربردها
Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications
نویسنده: Supriya Karmakar (auth.)
ناشر: Springer India
سال انتشار: 2014
تعداد صفحات: 147
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 4 مگابایت