SiGe و Si اپیتاکسی لایهای برای دستگاههای ناهمساختار سیلیکونی
SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
نویسنده: John D. Cressler
ناشر: CRC Press
سال انتشار: 2007
تعداد صفحات: 264
زبان: English
فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها
حجم فایل: 5 مگابایت