خرید و دانلود نسخه کامل کتاب The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

مهندسی منبع/تخلیه دستگاه‌های MOS مبتنی بر ژرمانیوم در مقیاس نانو

The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

نویسنده: Zhiqiang Li (auth.)

ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg

سال انتشار: 2016

تعداد صفحات: 71

زبان: English

فرمت: pdf - قابل تبدیل به سایر فرمت ها

حجم فایل: 4 مگابایت